0769-83696969

高光效219nm波长深紫外LEDled灯珠型号大全灯珠2018-10-09 09:36

  据悉美国康奈尔年夜学以及诺特丹年夜学的研究职员乐成研发出新一代氮化镓(GaN)与氮化铝(AlN)异质布局深紫外LED灯珠,其波长为219nm,而且内量子效率(IQE)高达40%,险些为以前记载的两倍。

  此技能亮点在于10层的量子点复合布局。研究职员先使用份子束外延(MBE)在30nm的AlN缓冲层上生长量子点布局,整个基板被先加热到450°C维持两个小时,然后在730°C的温度下生长4nm的AlN拦截层,末了在拦截层上面接纳层岛式生长法(layer-plus-island growth)形成GaN质料的量子点布局。并反复该布局生长10层。(层岛式生长法:通常为由两层布局构成,生长两层布局以后再将第二层布局分化为岛式布局。研究职员在布满氮气情况的前提下暂停生长18秒来节制GaN岛式布局的形成。)

  在5K温度的情况下,研究职员经由过程光致发光曲线(PL)不雅察到三种样品的波长别离为234nm(A)、222nm(B)、219nm(C)。同时,C样品的219nm波长也是具备最高的光子能量,到达了5.67eV的程度。

  研究职员经由过程仿真发明这类新的限定布局可以有用的按捺量子限定斯塔克效应(QCSE)。量子限led灯珠尺寸规格制斯塔克效应引起的极化电场其实不会降低电子与空穴的波函数堆叠。从而发光效率仍旧在一个较高的程度。

  研究职员还发明使用GaN量子点布局有用按捺QCSE效应,从而led灯珠简画也减小了发光波长。减小GaN量子点的厚度可有用的加强了堆叠度,也按捺了波长小的环境下IQE降低的问题。终极,样品C的IQE到达了40.2%,其量子点厚度只有0.8个单层厚度(ML)。