0769-83696969

集成led灯珠电路的led灯珠型号尺寸可靠性---芯片2018-10-02 03:36

  靠得住性(Reliability)是对于led灯珠经久力的丈量, 咱们重要典型的ICled灯珠的生命周期可以用一条浴缸曲线(Bathtub Curve)来暗示。

集成led灯珠电路的可靠性---芯片级别要求

  如上图示意, 集成电路的掉效缘故原由大抵分为三个阶段:

  Region (I) 被称为早夭期, 这个阶段led灯珠的掉效率快速降落,造成掉效的缘故原由在于IC设计以及出产历程中的缺陷;

  Region (II)被称为使用期, 这个阶段led灯珠的掉效率连结不变,掉效的缘故原由每每是随机的,好比温度变化等等;

  Region (III)被称为磨耗期,这个阶段led灯珠的掉效率会快速升高,掉效的缘故原由就是led灯珠的持久使用所酿成的老化等。

集成led灯珠电路的可靠性---芯片级别要求

兵工级器件老化筛选

元器件寿命实验

ESD等级、Latch_up测试评价

凹凸温机能阐发实验

集成电路微缺陷阐发

封装缺陷无损检测及阐发

电迁徙、热载流子评价阐发

按照实验等级分为以下几类:

1、使用寿命测试项目(Life test items)

EFR:初期掉效等级测试( Early fail Rate Test )

目的:评估工艺的不变性,加快缺陷掉效率,去除了因为生成缘故原由掉效的led灯珠 

测试前提:在特按时间内动态晋升温度以及电压对于led灯珠举行测试

掉效机制:质料或者工艺的缺陷,包孕诸如氧化层缺陷,金属刻镀,离子玷辱等因为出产酿成的掉效

参考尺度:

JESD22-A108-A

EIAJED- 4701-D101

集成led灯珠电路的可靠性---芯片级别要求

HTOL/ LTOL:高/低温操作生命期实验(High/ Low Temperature Operating Life )

目的:评估器件在超热以及超电压环境下一段时间的经久力

测试前提: 125℃,1.1VCC, 动态测试

掉效机制:电子迁徙,氧化层分裂,彼此散布,不不变性,离子玷辱等

参考数据: 

125℃前提下1000小时测试经由过程IC可以包管连续使用4年,2000小时测试连续使用8年;150℃ 1000小时测试经由过程包管使用8年,2000小时包管使用28年

参考尺度:

MIT-STD-883E Method 1005.8

JESD22-A108-A

EIAJED- 4701-D101

2、情况测试项目(Environmental test items) 

PRE-CON:预处置惩罚测试( Precondition Test )

目的:模仿IC在使用以前在必然湿度,温度前提下存储的经久力,也就是IC从出产到使用之间存储的靠得住性

集成led灯珠电路的可靠性---芯片级别要求

THB:加快式温湿度及偏压测试(Temperature Humidity Bias Test )

目的:评估ICled灯珠在高温,高湿,偏压前提下对于湿气的抵挡能力,加快其掉效进程

测试前提:85℃,85%RH, 1.1 VCC, Static bias

掉效机制:电解腐化 

参考尺度:

JESD22-A101-D

EIAJED- 4701-D122

高加快温湿度及偏压测试(HAST: Highly Accelerated Stress Test )

目的:评估ICled灯珠在偏压下高温,高湿,高气压前提下对于湿度的抵挡能力,加快其掉效历程 

测试前提:130℃, 85%RH, 1.1 VCC, Static bias,2.3 atm

掉效机制:电离腐化,封装密封性 

参考尺度:

JESD22-A110

PCT:高压蒸煮实验 Pressure Cook Test (Autoclave Test)

目的:评估ICled灯珠在高温,高湿,高气压前提下对于湿度的抵挡能力,加快其掉效历程 

测试前提:130℃, 85%RH, Static bias,15PSIG(2 atm) 

掉效机制:化学金属腐化,封装密封性 

参考尺度:

JESD22-A102

EIAJED- 4701-B123

*HAST与THB的区分在于温度更高,而且思量到压力因素,试验时间可以缩短,而PCT则不加偏压,但湿度增年夜。

集成led灯珠电路的可靠性---芯片级别要求

TCT:凹凸温轮回实验(Temperature Cycling Test )

目的:评估ICled灯珠中具备差别热膨胀系数的金属之间的界面的接触良率。要领是经由过程轮回流动的空气从高温到低温反复变化

测试前提:

Condition B:-55℃ to 125℃

Condition C: -65℃ to 150℃

掉效机制:电介质的断裂,导体以及绝缘体的断裂,差别界面的分层 

参考尺度:

MIT-STD-883E Method 1010.7

JESD22-A104-A

EIAJED- 4701-B-131

TST:凹凸温打击实验(Thermal Shock Test )

目的:评估ICled灯珠中具备差别热膨胀系数的金属之间的界面的接触良率。要领是经由过程轮回流动的液体从高温到低温反复变化

测试前提:

Condition B: - 55℃ to 125℃

Condition C: - 65℃ to 150℃

掉效机制:电介质的断裂,质料的老化(如bond wires), 导体机械变形 

参考尺度: 

MIT-STD-883E Method 1011.9

JESD22-B106

EIAJED- 4701-B-14led灯珠2瓦1

* TCT与TST的区分在于TCT侧重于package 的测试,而TST侧重于晶园的测试 

HTST:高温贮存实验(High Temperature Storage Life Test )

目的:评估ICled灯珠在现实使用以前在高温前提下连结几年不事情前提下的生命时间

测试前提:150℃

掉效机制:化学以及散布效应,Au-Al 共金效应 

参考尺度:

MIT-STD-883E Method 1008.2

JESD22-A103-A

EIAJED- 4701-B111

集成led灯珠电路的可靠性---芯片级别要求

可焊性实验(Solderability Test )

目的:评估IC leads在粘锡历程中的靠得住度 

测试要领:

Step1:蒸汽老化8 小时 

Step2:浸入245℃锡盆中 5秒 

掉效尺度(Failure Criterion):至少95%良率 

详细的测试前提以及估算成果可参考如下尺度 

MIT-STD-883E Method 2003.7

JESD22-B102

SHT Test:焊接热量经久测试( Solder Heat Resistivity Teled灯珠查抄st )

目的:评估IC 对于刹时高温的敏感度 

测试要领:侵入260℃ 锡盆中10秒 

掉效尺度(Failure Criterion):按照电测试成果 

详细的测试前提以及估算成果可参考如下尺度 

MIT-STD-883E Method 2003.7

EIAJED- 4701-B106

3、经久性测试项目(Endurance test items )

周期经久性测试(Endurance Cycling Test )

目的:评估非挥发性memory器件在屡次读写算后的长期机能 

Test Method:将数据写入memory的存储单位,在擦除了数据,反复这个历程屡次 

测试前提:室温,或者者更高,每一个数据的读写次数到达100k~1000k

参考尺度:

MIT-STD-883E Method 1033

数据连结力测试(Data Retention Test)

目的:在反复读写以后加快非挥发性memory器件存储节点的电荷丧失 

测试前提:在高温前提下将数据写入memory存储单位后,屡次读取验证单位中的数据 

掉效机制:150℃ 

参考尺度: 

MIT-STD-883E Method 1008.2

MIT-STD-883E Method 1033