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深紫外LED灯珠led灯珠灯光采用纳米阵列打破光效2018-09-14 00:36

   由于现阶段选用AlGaN资料LED灯珠的外量子功率(EQE)一般小于10%,于是美方研究职员选用了纳米阵列的配合布局来打破这一功率瓶颈。

   研究职员认为这类AlGaN的纳米阵列布局可以或许战胜光芒在高铝份额的AlGaN中程度标的目的转达的负面影响,由于横向磁(TM)偏振光效应,光芒会沿着平面转达,如许会抑制光子的激起。而依据研究职员的估量,纳米阵列布局可以或许将光的提取功率添加至少70%。

   为了可以或许正确的发展纳米阵列晶体,研究职员led灯珠g2选用了选择性区域外延发展技术。

   选择性发展按照C平面的GaN基蓝宝石衬底上的份子束外延发展技术(MBE)。

   在颠末模具外表渗氮处置惩罚后,GaN纳米阵列基底初步在995°C的环2735led灯珠境下初步发展,而其上部的AlGaN则在935-1025°C的情况下连续发展。纳米阵列顶部选用了富铝处置惩罚。

   研究职员颠末应用光致发光(PL)曲线举行测量,差别份额的AlGaN光谱范围在210-327nm。而关于280nm的深紫外LED,其纳米阵列由厚度为300nm n型GaN、80nm的n型Al0.64Ga0.36N、无掺杂Al0.48Ga0.52N和60nm的p型Al0.64Ga0.36N。

   这类布局的光致发光的光谱为283nm,全体线宽为11nm。对照差别温度的PL曲线,在室温的情况下,其内量子功率(IQE)约莫为45%。

   一个50 x 50μm2大小的器材的洞开电压为4.4V,在5V的时分电流密度到达了100A/cm2 。这一特征就远远高于传统的量子阱AlGaN LED。

   波长在279nm时陪同着电流的添加另有藐小的蓝移征象,范围从279.6nm(50A/cm2)到278.9nm(252A/cm2)。

   与此一路,研究职员预估全体输出功率为0.93W/cm2一路电流密度到达了252A/cm2。但是这类前提下的光效间隔10%的目标仍有间隔。

   理论上全体的输出功率可以或许颠末优化纳米阵列的标准和间隔来加强光提取功率。而且,器材的功效也可以颠末应用隧道结等布局来有效的提高。